专利编号：
PMXL-163
专利证号：
专利名称：
冷阴极电子发射表面结构及其制造方法
专利类别：
其它
专利持有人：
联系方式：
13353082008 联系人：李先生
浏览次数：
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状态：
还未卖出
专利介绍：
本发明涉及一种纳米硅材料的制备方法。本方法亦称加热蒸发法，以SiC粉末为原材料，预先抽真空，然后通入惰性气体作为保护气氛，最后加热至16000～20000℃并保温一段时间，制备得到的具有纳米硅量子线的纳米材料，硅线垂直于SiC颗粒的表面生长，具有一定的有序性，有助于硅的光波导及相关硅光电器件的研究。本方法工艺简单，原材料成本低，有着诱人的应用前景。